Китайская CXMT создала новый DRAM без дорогих западных технологий, что привлекает Apple

Для новой памяти DRAM не нужны литографы EUV

Системные платы, память, чипсеты018:27

Китайская компания CXMT (ChangXin Memory Technologies) начала разработку нового поколения DRAM с применением технологии гибридного соединения пластин (Wafer-to-Wafer Hybrid Bonding). Ожидается, что данная технология значительно повысит плотность памяти и её производительность без использования передовых EUV-устройств.

Данная технология предполагает отказ от обычных микроконтактов. Вместо этого две кремниевые пластины соединяются напрямую, что уменьшает длину электрических соединений, снижает потребление энергии и задержки, а также позволяет разместить больше памяти на одной и той же площади кристалла.

По информации, CXMT уже испытывает технологию на пилотной линии в Хэфэе. В то же время компания разделяет производство массива ячеек памяти и управляющей логики на отдельные пластины, что позволяет применять различные технологические процессы для каждого компонента и улучшить эффективность производства.

Ранее сообщалось, что Apple рассматривает CXMT как потенциального поставщика DRAM. Однако основной причиной называют не снижение цен на память, а стремление диверсифицировать цепочку поставок на фоне нарастающего дефицита DRAM, вызванного высоким спросом со стороны дата-центров для искусственного интеллекта.

DexterИсточники:WCCFСистемные платы, память, чипсеты0CXMT18:27