SK Hynix запустит выпуск HBM4E в 2029 году на фоне дефицита памяти до 2030 года

Компания намерена сделать завод в Индиане ключевым американским центром по производству передовой памяти для ИИ

Южнокорейская SK Hynix приступила к строительству значительного завода в американском штате Индиана, где планирует организовать производство и упаковку передовой памяти HBM. Общие инвестиции в проект превысят $4 млрд, а массовый запуск следующего поколения HBM4E запланирован на третий квартал 2029 года.

Завод будет находиться в исследовательском парке Purdue Research Park в Уэст-Лафайете. Чистые помещения должны начать функционировать во второй половине 2028 года. В будущем предприятие сможет производить сотни тысяч кремниевых пластин ежегодно.

Производственная цепочка будет распределена между США и Южной Кореей. Передовые кристаллы памяти будут изготовляться в Корее, а затем отправляться в Индиану для упаковки и тестирования. Готовые микросхемы будут предназначены в первую очередь для американских клиентов, включая Nvidia, Microsoft и Google.

Генеральный директор SK Hynix Квак Но-джонг сообщил, что компания не замечает признаков скорого снижения спроса на память и ожидает, что дефицит сохранится до конца 2030 года. По его мнению, даже возможное замедление рынка будет связано больше с умеренным снижением темпов роста, чем с резким падением спроса.

HBM представляет собой многослойную память, в которой несколько кристаллов располагаются друг над другом. Благодаря высокой пропускной способности и низкому энергопотреблению такая память стала одним из основных компонентов ускорителей искусственного интеллекта. Увеличение инвестиций в ИИ сделало HBM одним из ключевых факторов роста для производителей памяти.