Российские разработчики атомной бомбы создадут инновационную установку для микрочипов

На это выделили почти 1,5 млрд рублей

Российский федеральный ядерный центр ВНИИЭФ, который является частью «Росатома», займется созданием национальной установки для жидкостного химического травления полупроводниковых пластин. На опытно-конструкторские работы по проекту «Спрей» Минпромторг выделил 1,43 млрд рублей. Завершение разработки оборудования запланировано до 30 ноября 2029 года.

Новая установка будет служить для обработки кремниевых пластин диаметром до 200 мм и найдет применение на предприятиях микроэлектронной отрасли. В автоматическом режиме она сможет выполнять одновременно несколько технологических операций: химическое травление, очистку, промывку и сушку пластин.

Согласно техническому заданию, оборудование должно обрабатывать до 100 пластин за один цикл — это соответствует четырем стандартным кассетам. Установка будет работать с различными химическими реагентами и обеспечивать автоматическую загрузку и выгрузку пластин через систему SMIF, что минимизирует риск загрязнения.

К оборудованию предъявляются строгие требования по надежности. Равномерность травления должна составлять не менее 5%, наработка на отказ — не менее 2000 часов, а расчетный срок службы установки — не меньше семи лет.

Данный проект является частью программы по импортозамещению оборудования для производства микроэлектроники. В качестве зарубежных аналогов упоминаются установки американских компаний Shellback и Siconnex, а также японской Tokyo Electron. При этом в документации подчеркивается, что на сегодняшний день российских аналогов таких систем не существует.

Особое внимание уделяется локализации производства. Ключевые компоненты установки — процессная камера, система подачи химических реагентов, ротор, центральный контроллер и программное обеспечение — должны быть разработаны и изготовлены в России. Использование зарубежных компонентов допускается только после согласования с заказчиком.

Для ВНИИЭФ это уже второй крупный государственный контракт в сфере оборудования для микроэлектроники за последнее время. Ранее институт получил заказ на сумму почти 993 млн рублей на разработку комплекса для бондинга и дебондинга полупроводниковых пластин. Таким образом, всего за две недели предприятие привлекло свыше 2,4 млрд рублей государственных инвестиций в развитие отечественных технологий производства микрочипов.

Основанный в 1946 году в Сарове, РФЯЦ-ВНИИЭФ известен как разработчик первых советских атомной и водородной бомб.