Добавь сайт в закладки нажми CTRL+D
Системы будут поддерживать пластины диаметром 100, 150 и 200 мм
Российский федеральный ядерный центр ВНИИЭФ, который является частью «Росатома» и известен как создатель первой советской атомной и водородной бомб, займется разработкой отечественного оборудования для изготовления микросхем. Для реализации данного проекта Минпромторг выделил 992,85 млн рублей.

Как сообщает CNews, РФЯЦ-ВНИИЭФ стал единственным участником конкурса и подписал контракт на выполнение опытно-конструкторской работы (ОКР) под названием «Дантист». Соглашение было подписано 6 июля 2026 года, а завершение разработки оборудования намечено до 30 октября 2029 года.
В рамках проекта специалисты создадут два типа установок, необходимых для производства современных полупроводников: систему временной связи (бондинга) кремниевых пластин диаметром до 200 мм и установку для разделения пластин (дебондинга) и их последующей очистки. Оборудование будет поддерживать работу с пластинами диаметром 100, 150 и 200 мм.
Технология временного бондинга широко используется в микроэлектронике при производстве сложных микросхем. На одном из этапов изготовления кремниевая пластина временно приклеивается к специальной пластине-носителю, что позволяет безопасно выполнять дальнейшую обработку, включая операции по утончению и транспортировке. После завершения технологического процесса пластины разделяются, а остатки клея удаляются с помощью установки дебондинга.
Одним из основных требований проекта стала максимальная локализация производства. В соответствии с техническим заданием, оборудование должно использовать российские компоненты:
- контроллеры на базе отечественных процессоров;
- платы управления с российскими микроконтроллерами и ПЛИС;
- вакуумные системы;
- механизмы автоматической загрузки и выгрузки пластин;
- программное обеспечение.
Поделись видео:
