Добавь сайт в закладки! Инструкция по ссылке.
На FMS 2026 компания представила концепцию zHBM, прототип V10 V-NAND с более чем 400 слоями и новое поколение памяти для ИИ-серверов
Samsung Electronics продемонстрировала на конференции Future of Memory and Storage (FMS) 2026 ряд инноваций для систем искусственного интеллекта, включая концепцию памяти zHBM, прототип V10 Bonding V-NAND с более чем 400 слоями и обновлённую дорожную карту памяти для ИИ-серверов.
Наиболее значительной новинкой стала архитектура zHBM, которая располагает высокоскоростную память непосредственно над ИИ-ускорителем, а не рядом с ним.
По оценке Samsung, такая компоновка позволит сократить расстояние передачи данных и в дальнейшем обеспечит примерно 8-кратный прирост производительности по сравнению с HBM5, более чем 10-кратное увеличение плотности памяти, 3-кратное улучшение энергоэффективности и снижение теплового сопротивления более чем на 50%. Компания акцентирует внимание на том, что это оценочные показатели концепции, а не результаты тестов готовых устройств.
Ещё одной новинкой стал прототип V10 Bonding V-NAND с более чем 400 слоями. Технология использует схему Bonding Vertical (BV), при которой массив ячеек памяти и управляющие схемы изготавливаются отдельно, а затем объединяются в единую структуру. По данным Samsung, это повышает плотность хранения примерно на 58% по сравнению с V9 V-NAND, одновременно улучшая скорость чтения, записи и обмена данными.
Компания также представила концепцию zNAND-O для периферийных ИИ-систем, а также HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM и корпоративные SSD PM1763 и BM1773.
При этом Samsung не раскрыла сроки коммерческого выпуска новых технологий, их стоимость, совместимость с ИИ-ускорителями и результаты независимых испытаний, поэтому на данный момент речь идёт о демонстрации перспективных разработок и прототипов, а не готовых серийных продуктах.
ИсточникПоделись видео: